الوصف القصير:
Introducing the premium-grade 8 Inch P Type Silicon Wafer, a hallmark of excellence from VET Energy. This exceptional wafer, featuring a P-type doping profile, is meticulously engineered to meet the highest standards of quality and performance.
8 Inch P Type Silicon Wafer from VET فالطاقة هي وفرة من السيليكون عالية الأداء مصممة لمجموعة واسعة من التطبيقات شبه الموصلية، بما في ذلك الخلايا الشمسية، وأجهزة القياس المتعدد الأطراف، والدوائر المتكاملة. وهذا الوفير، المعروف بسلوكه الكهربائي الممتاز وأدائه المتسق، هو الخيار المفضل للمصنعين الذين يتطلعون إلى إنتاج مكونات إلكترونية موثوقة وفعالة. VET فالطاقة تضمن مستويات التصفيق الدقيق ونهاية سطحية عالية الجودة من أجل صنع الأجهزة المثلى.
These 8 Inch P Type Silicon Wafers are fully compatible with various materials like SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, and are suitable for Epi Wafer growth, ensuring versatility for advanced semiconductor manufacturing processes. The wafers can also be used in conjunction with other high-tech materials like Gallium Oxide Ga2O3 and AlN Wafer, making them ideal for next-generation electronic applications. Their robust design also fits seamlessly into Cassette-based systems, ensuring efficient and high-volume production handling.
VET وتوفر الطاقة للزبائن حلولا مصممة حسب الطلب. ويمكننا أن نكيّف الوفيرات بمقاومة مختلفة، ومحتوى الأكسجين، والسماكة، وما إلى ذلك، وفقا للاحتياجات المحددة للزبائن. وبالإضافة إلى ذلك، نوفر أيضا الدعم التقني المهني وخدمات ما بعد البيع لمساعدة العملاء على حل مختلف المشاكل التي يواجهونها خلال عملية الإنتاج.


وجهات النظر
? Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
البند | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
n-P | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolute Value | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10m m | <2μm | ||||
Wafer Edge | Beveling | ||||
SURFACE FINISH
? Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade, Sl=Semi-lnsulating
البند | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
n-P | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
إنهاء سطح الأرض | Twouble side Optical Polish, Si- Face CMP | ||||
السطح | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | None Permitted (length and width≥0.5mm) | ||||
الحوادث | لم يُذكر | ||||
Scratches (Si-Face) | Qty.≤5,Cumulative | Qty.≤5,Cumulative | Qty.≤5,Cumulative | ||
المسارات | لم يُذكر | ||||
الاستبعاد التدريجي | 3 ملم | ||||


With R ' D capabilities from key materials to end application products, the core and key technologies of independent intellectual property rights have achieved a number of scientific and technological innovations.