{"id":114,"date":"2024-11-21T11:12:19","date_gmt":"2024-11-21T03:12:19","guid":{"rendered":"http:\/\/weitai1.globaldeepsea.site\/?post_type=product&p=114"},"modified":"2026-03-13T17:05:17","modified_gmt":"2026-03-13T09:05:17","slug":"high-purity-cvd-solid-sic-bulk","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/product\/high-purity-cvd-solid-sic-bulk\/","title":{"rendered":"Hochreine CVD-Feststoff-SiC-Masse"},"content":{"rendered":"
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ET Energie verwendet hochreines Siliciumcarbid (SiC), das durch chemische Aufdampfung (CVD) gebildet wird, als Quellmaterial f\u00fcr das Wachsen von SiC-Kristallen durch physikalischen Dampftransport (PVT). In PVT wird das Quellmaterial in einen Tiegel geladen und auf einen Samenkristall sublimiert.<\/p>\n

F\u00fcr die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle ist eine hochreine Quelle erforderlich.<\/p>\n

ET Energie ist darauf spezialisiert, gro\u00dfpartikelf\u00f6rmige SiC f\u00fcr PVT bereitzustellen, da sie eine h\u00f6here Dichte als kleinteiliges Material aufweist, das durch spontane Verbrennung von Si- und C-haltigen Gasen gebildet wird. Im Gegensatz zum Festphasensintern oder der Reaktion von Si und C ben\u00f6tigt es keinen speziellen Sinterofen oder einen zeitaufwendigen Sinterschritt in einem Wachstumsofen. Dieses gro\u00dfteilige Material weist eine nahezu konstante Verdampfungsrate auf, die die Lauf-zu-L\u00e4ufigkeit verbessert.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

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Einf\u00fchrung:
\nANHANG CVD-SiC Blockquelle vorbereiten: Zuerst m\u00fcssen Sie eine hochwertige CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten, die in der Regel von hoher Reinheit und hoher Dichte ist. Dies kann nach dem Verfahren der chemischen Aufdampfung (CVD) unter entsprechenden Reaktionsbedingungen hergestellt werden.<\/p>\n

2. Substratpr\u00e4paration: W\u00e4hlen Sie ein entsprechendes Substrat als Substrat f\u00fcr SiC-Einkristallwachstum. \u00dcblicherweise verwendete Substratmaterialien sind Siliciumcarbid, Siliciumnitrid usw., die eine gute \u00dcbereinstimmung mit dem wachsenden SiC-Einkristall haben.<\/p>\n

3. Heizung und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und liefern Sie entsprechende Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass sich bei hoher Temperatur die Blockquelle direkt vom festen zum Dampfzustand \u00e4ndert und dann auf der Substratoberfl\u00e4che zu einem einzigen Kristall wieder kondensiert.<\/p>\n

4. Temperaturregelung: W\u00e4hrend des Sublimationsprozesses muss der Temperaturgradient und die Temperaturverteilung genau gesteuert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu f\u00f6rdern. Eine geeignete Temperaturregelung kann eine ideale Kristallqualit\u00e4t und Wachstumsrate erreichen.<\/p>\n

5. Steuerung der Atmosph\u00e4re: W\u00e4hrend des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosph\u00e4re gesteuert werden. Als Tr\u00e4gergas wird \u00fcblicherweise hochreines Inertgas (wie Argon) verwendet, um einen entsprechenden Druck und eine entsprechende Reinheit zu erhalten und Verunreinigungen zu verhindern.<\/p>\n

6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchl\u00e4uft w\u00e4hrend des Sublimationsprozesses einen Dampfphasen\u00fcbergang und rekondensiert auf der Substratoberfl\u00e4che zu einer einkristallinen Struktur. Durch entsprechende Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenregelung kann ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erreicht werden.<\/p>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n

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\"CVD<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n
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Wir laden Sie herzlich ein, unser Werk zu besuchen und mit uns zu diskutieren!<\/span><\/h3>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n
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Kurze Beschreibung:<\/h3>\n

Das rasche Wachstum von SiC-Einkristallen unter Verwendung von CVD-SiC-Pulverquellen (Chemical Vapor Deposition \u2013 SiC) ist eine gemeinsame Methode zur Herstellung hochwertiger SiC-Einkristallmaterialien. Diese Einkristalle k\u00f6nnen in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter leistungsstarke elektronische Ger\u00e4te, optoelektronische Ger\u00e4te, Sensoren und Halbleiterger\u00e4te.<\/p>","protected":false},"featured_media":115,"template":"","meta":[],"product_cat":[16,28],"product_tag":[22,29,24,26],"class_list":{"0":"post-114","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-cvd-coating","7":"product_cat-monocrystal-growth-parts","8":"product_tag-epitaxial-epi-graphite-barrel-susceptor","9":"product_tag-high-purity-cvd-solid-sic-bulk","10":"product_tag-sic-coated-graphite-base-carriers","11":"product_tag-sic-coated-graphite-mocvd-epitaxy-susceptor","13":"first","14":"instock","15":"shipping-taxable","16":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/114","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/114\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2620,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/114\/revisions\/2620"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/115"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=114"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=114"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=114"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}