1. Prepare CVD-SiC block source: First, you need to prepare a Hochreine CVD-Feststoff-SiC-Masse<\/a> source, which is usually of high purity and high density. This can be prepared by chemical vapor deposition (CVD) method under appropriate reaction conditions.<\/p>\n
2. Substratpr\u00e4paration: W\u00e4hlen Sie ein entsprechendes Substrat als Substrat f\u00fcr SiC-Einkristallwachstum. \u00dcblicherweise verwendete Substratmaterialien sind Siliciumcarbid, Siliciumnitrid usw., die eine gute \u00dcbereinstimmung mit dem wachsenden SiC-Einkristall haben.<\/p>\n
3. Heizung und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und liefern Sie entsprechende Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass sich bei hoher Temperatur die Blockquelle direkt vom festen zum Dampfzustand \u00e4ndert und dann auf der Substratoberfl\u00e4che zu einem einzigen Kristall wieder kondensiert.<\/p>\n
4. Temperaturregelung: W\u00e4hrend des Sublimationsprozesses muss der Temperaturgradient und die Temperaturverteilung genau gesteuert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu f\u00f6rdern. Eine geeignete Temperaturregelung kann eine ideale Kristallqualit\u00e4t und Wachstumsrate erreichen.<\/p>\n
5. Steuerung der Atmosph\u00e4re: W\u00e4hrend des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosph\u00e4re gesteuert werden. Als Tr\u00e4gergas wird \u00fcblicherweise hochreines Inertgas (wie Argon) verwendet, um einen entsprechenden Druck und eine entsprechende Reinheit zu erhalten und Verunreinigungen zu verhindern.<\/p>\n
6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchl\u00e4uft w\u00e4hrend des Sublimationsprozesses einen Dampfphasen\u00fcbergang und rekondensiert auf der Substratoberfl\u00e4che zu einer einkristallinen Struktur. Durch entsprechende Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenregelung kann ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erreicht werden.<\/p>\n
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The rapid growth of SiC single crystals using CVD-SiC bulk sources is a widely adopted method for producing high-quality SiC materials. These crystals are suitable for various applications, including high-power electronics, optoelectronics, sensors, and semiconductors.<\/p>","protected":false},"featured_media":2589,"template":"","meta":[],"product_cat":[35],"product_tag":[],"class_list":{"0":"post-2516","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-silicon-carbide-sic-ceramic","8":"first","9":"instock","10":"shipping-taxable","11":"product-type-simple"},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2516","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2516\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2586,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/2516\/revisions\/2586"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2589"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2516"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=2516"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cnvetenergy.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=2516"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}
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