CVD Solid SiC Bulk

VET وتستخدم الطاقة كربيد السيليكون فوق العالي النقاء (SiC) المكوّن من ترسيب البخار الكيميائي (CVD) كمصدر لبلورات سيC المتنامية عن طريق نقل البخار الفيزيائي. In PVT, the source material is loaded into a crucible and sublimated onto a seed plastic.

وهناك حاجة إلى مصدر نقاء مرتفع لتصنيع بلورات عالية الجودة من طراز SiC.

VET Energy specializes in providing large-particle SiC for PVT. It offers higher density compared to small-particle material formed by spontaneous combustion of Si and C-containing gases. Unlike solid-phase sintering or Si-C reactions, it eliminates the need for a sintering furnace or lengthy sintering steps, ensuring a consistent evaporation rate and improved run-to-run uniformity.

مقدمة:
1. Prepare CVD-SiC block source: First, you need to prepare a CVD Solid SiC Bulk source, which is usually of high purity and high density. This can be prepared by chemical vapor deposition (CVD) method under appropriate reaction conditions.

2. الإعداد الفرعي: (أ) أن تُختار بديلاً ملائماً كمؤسسة فرعية لنمو الكريستال الوحيد في سي سي سي سي سي سي سي. وتشتمل المواد التي تستخدم عادة على كربيد السيليكون، ونيتريد السيليكون، وما إلى ذلك، التي لها تطابق جيد مع بلورة سي سي سي.

3 التدفئة والتدفئة (ب) وضع المصدر الأساسي لمبنى CVD-SiC وإخضاعه في فرن ذي درجة حرارة عالية، وتوفير الظروف الملائمة للتبديل. ويعني التحلل أنه عند ارتفاع درجة الحرارة، يتغيّر المصدر الجاموس مباشرة من دولة صلبة إلى ولاية بخار، ثم يُعاد تشكيله على سطح شبه سترات لتشكيل بلورة واحدة.

4 مراقبة درجة الحرارة: وخلال عملية التحلل الفرعي، يلزم التحكم بدقة في درجة الحرارة وتوزيع درجات الحرارة من أجل تعزيز التخضّع لمصدر الكتلة ونمو البلورات الوحيدة. ويمكن أن تحقق المراقبة المناسبة لدرجات الحرارة الجودة المثلى للبلورات ومعدل النمو.

5 مراقبة الغلاف الجوي: وخلال عملية التطهير، يتعين أيضا السيطرة على مناخ الرد. وعادة ما يُستخدم الغاز الناقص العالي النقاء (مثل الأرغون) كغاز ناقل للحفاظ على الضغط والنقاء المناسبين ومنع التلوث بسبب الشوائب.

6. نمو البلورة الواحدة: The CVD-SiC block source undergoes a vapor phase transition during the sublimation process and recondenses on the substrate surface to form a single Belgian structure. ويمكن تحقيق النمو السريع لبلورات سي سي سي سي سي سي سي سي، من خلال الظروف الملائمة للتخفيض، والتحكم في درجات الحرارة.

نرحب بكم ترحيبا حارا في زيارة مصنعنا، دعونا نجري المزيد من المناقشة!