Hochreine CVD-Feststoff-SiC-Masse

ET Energie verwendet hochreines Siliciumcarbid (SiC), das durch chemische Aufdampfung (CVD) gebildet wird, als Quellmaterial für das Wachsen von SiC-Kristallen durch physikalischen Dampftransport (PVT). In PVT wird das Quellmaterial in einen Tiegel geladen und auf einen Samenkristall sublimiert.

Für die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle ist eine hochreine Quelle erforderlich.

VET Energy specializes in providing large-particle SiC for PVT. It offers higher density compared to small-particle material formed by spontaneous combustion of Si and C-containing gases. Unlike solid-phase sintering or Si-C reactions, it eliminates the need for a sintering furnace or lengthy sintering steps, ensuring a consistent evaporation rate and improved run-to-run uniformity.

Einführung:
1. Prepare CVD-SiC block source: First, you need to prepare a Hochreine CVD-Feststoff-SiC-Masse source, which is usually of high purity and high density. This can be prepared by chemical vapor deposition (CVD) method under appropriate reaction conditions.

2. Substratpräparation: Wählen Sie ein entsprechendes Substrat als Substrat für SiC-Einkristallwachstum. Üblicherweise verwendete Substratmaterialien sind Siliciumcarbid, Siliciumnitrid usw., die eine gute Übereinstimmung mit dem wachsenden SiC-Einkristall haben.

3. Heizung und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und liefern Sie entsprechende Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass sich bei hoher Temperatur die Blockquelle direkt vom festen zum Dampfzustand ändert und dann auf der Substratoberfläche zu einem einzigen Kristall wieder kondensiert.

4. Temperaturregelung: Während des Sublimationsprozesses muss der Temperaturgradient und die Temperaturverteilung genau gesteuert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu fördern. Eine geeignete Temperaturregelung kann eine ideale Kristallqualität und Wachstumsrate erreichen.

5. Steuerung der Atmosphäre: Während des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosphäre gesteuert werden. Als Trägergas wird üblicherweise hochreines Inertgas (wie Argon) verwendet, um einen entsprechenden Druck und eine entsprechende Reinheit zu erhalten und Verunreinigungen zu verhindern.

6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchläuft während des Sublimationsprozesses einen Dampfphasenübergang und rekondensiert auf der Substratoberfläche zu einer einkristallinen Struktur. Durch entsprechende Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenregelung kann ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erreicht werden.

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