Kurze Beschreibung:
The Vertical Column Wafer Boat & Pedestal from vet-china offers superior stability and precision in wafer handling for semiconductor manufacturing. With vet-china’s advanced design, this system ensures optimal alignment and secure retention, enhancing operational efficiency and reducing wafer damage.
VET-china presents the innovative Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, a comprehensive solution for advanced semiconductor processing. Designed with meticulous precision, this wafer handling system provides unmatched stability and alignment, crucial for high-efficiency manufacturing environments.
The Vertical Column Wafer Boot & Pedestal is constructed with premium materials that guarantee thermal stability and resistance to chemical corrosion, making it suitable for the most demanding semiconductor fabrication processes. Its unique vertical column design supports wafers securely, reducing the risk of misalignment and potential damage during transport and processing.
With the integration of vet-china’s Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, semiconductor manufacturers can expect improved throughput, minimized downtime, and increased product yield. This system is compatible with various wafer sizes and configurations, offering flexibility and scalability for different production needs.
vet-china’s commitment to excellence ensures that each Vertical Column Wafer Boat & Pedestal meets the highest standards of quality and performance. By choosing this cutting-edge solution, you invest in a future-proof approach to wafer handling that maximizes efficiency and reliability in semiconductor manufacturing.
Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid
Recrystallized silicon carbide (R-SiC) is a high-performance material with hardness second only to diamond, which is formed at a high temperature above 2000℃. It retains many excellent properties of SiC, such as high temperature strength, strong corrosion resistance, excellent oxidation resistance, good thermal shock resistance and so on.
● Ausgezeichnete mechanische Eigenschaften. Rekristallisiertes Siliziumkarbid hat eine höhere Festigkeit und Steifigkeit als Kohlefaser, eine hohe Schlagzähigkeit, kann eine gute Leistung in extremen Temperaturumgebungen spielen, kann eine bessere Ausgleichsleistung in einer Vielzahl von Situationen spielen. Darüber hinaus hat es auch eine gute Flexibilität und wird nicht leicht durch Dehnung und Biegung beschädigt, was seine Leistung erheblich verbessert.
● Hohe Korrosionsbeständigkeit. Rekristallisiertes Siliziumkarbid hat eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Medien, kann die Erosion einer Vielzahl von korrosiven Medien verhindern, kann seine mechanischen Eigenschaften für eine lange Zeit beibehalten, hat eine starke Haftung, so dass es eine längere Lebensdauer hat. Darüber hinaus verfügt es über eine gute thermische Stabilität, kann sich an einen bestimmten Bereich von Temperaturänderungen anpassen und seine Anwendungswirkung verbessern.
● Sintern schrumpft nicht. Da der Sinterprozess nicht schrumpft, verursachen keine Eigenspannungen Verformungen oder Risse im Produkt, und es können Teile mit komplexen Formen und hoher Präzision hergestellt werden.
重结晶碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid | |
性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
使用温度 / Working temperature (°C) | 1600°C (with oxygen), 1700°C (reducing environment) |
SiC含量 / SiC-Gehalt | > 99,96% |
自由Si含量 / Kostenloser Si-Inhalt | < 0,1% |
体积密度 / Bulk density | 2.60-2.70 g/cm3 |
气孔率 / Offensichtliche Porosität | < 16% |
抗压强度 / Compression strength | > 600 MPa |
常温抗弯强度 / Cold bending strength | 80-90 MPa (20°C) |
高温抗弯强度 Heißbiegefestigkeit | 90-100 MPa (1400°C) |
热膨胀系数 / Thermal expansion @1500°C | 4.70 10-6/°C |
导热系数 / Thermal conductivity @1200°C | 23 W/m•K |
杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 240 GPa |
抗热震性 / Temperaturwechselbeständigkeit | Äußerst gut |
VET Energy is the real manufacturer of customized graphite and silicon carbide products with CVD-Beschichtung, can supply various customized parts for semiconductor and photovoltaic industry. Our technical team comes from top domestic research institutions, can provide more professional material solutions for you.
We continuously develop advanced processes to provide more advanced materials, and have worked out an exclusive patented technology, which can make the bonding between the coating and the substrate tighter and less prone to detachment.
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiC Beschichtung | |
性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β phase 多晶，主要为（111）取向 |
密度 / Dichte | 3,2 g/cm3 |
硬度 / Härte | 2500 维氏硬度（500g Last） |
晶粒大小 / Grain SiZe | 2~10μm |
纯度 / Chemische Reinheit | 99.99995% |
热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
导热系数 / Thermal Conductivity | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
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Mit Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Schlüsselmaterialien bis hin zu Endprodukten haben die Kern- und Schlüsseltechnologien unabhängiger geistiger Eigentumsrechte eine Reihe von wissenschaftlichen und technologischen Innovationen hervorgebracht.
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