Descripción corta:
VET Energy GaAs Wafer de 4 pulgadas es un sustrato de semiconductores de alta pureza reconocido por sus excelentes propiedades electrónicas, lo que lo convierte en una opción ideal para una amplia gama de aplicaciones. VET Energy emplea técnicas avanzadas de crecimiento de cristales para producir obleas GaAs con uniformidad excepcional, baja densidad de defectos y niveles de dopaje precisos.
La oblea GaAs de 4 pulgadas de la energía veterinaria es un material esencial para dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad, incluidos amplificadores de RF, LED y células solares. Estas obleas son conocidas por su alta movilidad de electrones y su capacidad para operar a frecuencias más altas, lo que las convierte en un componente clave en aplicaciones de semiconductores avanzados. VET Energy garantiza las obleas GaAs de alta calidad con un grosor uniforme y defectos mínimos, adecuados para una variedad de procesos de fabricación exigentes.
Estas obleas GaAs de 4 pulgadas son compatibles con varios materiales semiconductores como la oblea de Si, el sustrato SIC, la oblea SOI y el sustrato sin, haciéndolos versátiles para la integración en diferentes arquitecturas de dispositivos. Ya sea que se use para la producción de obleas EPI o junto con materiales de vanguardia como el óxido de galio GA2O3 y la oblea de ALN, ofrecen una base confiable para la electrónica de próxima generación. Además, las obleas son totalmente compatibles con los sistemas de manejo basados en cassetos, asegurando operaciones suaves tanto en la investigación como en los entornos de fabricación de alto volumen.
VET Energy ofrece una cartera integral de sustratos de semiconductores, que incluye SI Wafer, SIC Subtrate, SOI WAFER, SIN Substrate, Epi Wafer, Gallium óxido GA2O3 y Aln Wafer. Nuestra línea de productos diversa atiende a las necesidades de varias aplicaciones electrónicas, desde la electrónica de energía hasta RF y optoelectrónica.
VET Energy ofrece obleas GaAs personalizables para cumplir con sus requisitos específicos, incluidos diferentes niveles de dopaje, orientaciones y acabados superficiales. Nuestro equipo de expertos ofrece soporte técnico y servicio postventa para garantizar su éxito.
Especificaciones de obleas
*N-PM = N-Type PM-Grade, N-PS = N-Type PS-Grade, SL = Semi-Lnsulating
Artículo | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
notario público | N-PM | N-PS | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow (GF3YFCD) -Absolute Value | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Borde de la oblea | Biselante |
Acabado superficial
*N-PM = N-Type PM-Grade, N-PS = N-Type PS-Grade, SL = Semi-Lnsulating
Artículo | 8-Inch | 6-Inch | 4-Inch | ||
notario público | N-PM | N-PS | SI | SI | |
Acabado superficial | Polaco óptico de doble lado, Si-Face CMP | ||||
Surfaceroughness | (10um x 10um) Si-Facera≤0.2nm | (5UMX5UM) SI-FACE RA≤0.2NM | |||
Chips de borde | Ninguno permitido (longitud y ancho ≥0.5 mm) | ||||
Insuficiencia | Ninguno permitido | ||||
Arañazos (SI-FACE) | Cant. ≤5, acumulativo | Cant. ≤5, acumulativo | Cant. ≤5, acumulativo | ||
Grietas | Ninguno permitido | ||||
Exclusión de borde | 3mm |
With R & D capabilities from key materials to end application products, the core and key technologies of independent intellectual property rights have achieved a number of scientific and technological innovations.