Short Description:
The Vertical Column Wafer Boat & Pedestal from vet-china offers superior stability and precision in wafer handling for semiconductor manufacturing. With vet-china’s advanced design, this system ensures optimal alignment and secure retention, enhancing operational efficiency and reducing wafer damage.
VET-china presents the innovative Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, a comprehensive solution for advanced semiconductor processing. Designed with meticulous precision, this wafer handling system provides unmatched stability and alignment, crucial for high-efficiency manufacturing environments.
The Vertical Column Wafer Boat & Pedestal is constructed with premium materials that guarantee thermal stability and resistance to chemical corrosion, making it suitable for the most demanding semiconductor fabrication processes. Its unique vertical column design supports wafers securely, reducing the risk of misalignment and potential damage during transport and processing.
With the integration of vet-china’s Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, semiconductor manufacturers can expect improved throughput, minimized downtime, and increased product yield. This system is compatible with various wafer sizes and configurations, offering flexibility and scalability for different production needs.
vet-china’s commitment to excellence ensures that each Vertical Column Wafer Boat & Pedestal meets the highest standards of quality and performance. By choosing this cutting-edge solution, you invest in a future-proof approach to wafer handling that maximizes efficiency and reliability in semiconductor manufacturing.
Propriétés du carbure de silicium recristallisé
Recrystallized silicon carbide (R-SiC) is a high-performance material with hardness second only to diamond, which is formed at a high temperature above 2000℃. It retains many excellent properties of SiC, such as high temperature strength, strong corrosion resistance, excellent oxidation resistance, good thermal shock resistance and so on.
● Excellentes propriétés mécaniques. Le carbure de silicium recrystallisé a plus de résistance et de rigidité que la fibre de carbone, une résistance à l'impact élevée, peut jouer une bonne performance dans des environnements de température extrême, peut jouer un meilleur contrepoids dans une variété de situations. En outre, il a également une bonne flexibilité et n'est pas facilement endommagé par l'étirement et la flexion, ce qui améliore grandement ses performances.
● Haute résistance à la corrosion. Le carbure de silicium recrystallisé possède une résistance élevée à la corrosion de divers milieux, peut empêcher l'érosion de divers milieux corrosifs, peut maintenir ses propriétés mécaniques pendant longtemps, a une forte adhésion, de sorte qu'il a une durée de vie plus longue. En outre, il a également une bonne stabilité thermique, peut s'adapter à une certaine gamme de changements de température, améliorer son effet d'application.
∙ Le frittage ne rétrécit pas. Comme le processus de frittage ne se rétrécit pas, aucune contrainte résiduelle ne causera de déformation ou de fissuration du produit, et des pièces aux formes complexes et de haute précision peuvent être préparées.
C'est pas vrai Propriétés physiques du carbure de silicium recrystallisé | |
性质 / Property | 典型数值 / Typical Value |
使用温度 / Working temperature (°C) | 1600°C (with oxygen), 1700°C (reducing environment) |
Contenu de SiC | > 99.96% |
(En milliers de dollars des États-Unis) Contenu | < 0,1% |
体积密度 / Bulk density | 2.60-2.70 g/cm3 |
Porosité apparente | < 16% |
抗压强度 / Compression strength | > 600 MPa |
常温抗弯强度 / Cold bending strength | 80-90 MPa (20°C) |
C'est pas vrai. Résistance à la flexion à chaud | 90-100 MPa (1400°C) |
热膨胀系数 / Thermal expansion @1500°C | 4.70 10-6/°C |
导热系数 / Thermal conductivity @1200°C | 23 W/m•K |
Module élastique | 240 GPa |
Résistance aux chocs thermiques | Très bon |
VET Energy is the real manufacturer of customized graphite and silicon carbide products with Revêtement CVD, can supply various customized parts for semiconductor and photovoltaic industry. Our technical team comes from top domestic research institutions, can provide more professional material solutions for you.
We continuously develop advanced processes to provide more advanced materials, and have worked out an exclusive patented technology, which can make the bonding between the coating and the substrate tighter and less prone to detachment.
DCV SiC薄膜基本物理性能 Basic physical properties of CVD SiC coating | |
性质 / Property | 典型数值 / Typical Value |
晶体结构 / Crystal Structure | FCC β phase 多晶，主要为（111）取向 |
密度 / Density | 3.21 g/cm3 |
硬度 / Hardness | 2500 维氏硬度（500g load） |
晶粒大小 / Grain SiZe | 2~10μm |
纯度 / Chemical Purity | 99.99995% |
热容 / Heat Capacity | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimation Temperature | 2700℃ |
抗弯强度 / Flexural Strength | 415 MPa RT 4-point |
杨氏模量 / Young’ s Modulus | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
导热系数 / Thermal Conductivity | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Warmly welcome you to visit our factory, let’s have further discussion!
Avec des capacités de recherche et de développement allant des matériaux clés aux produits d'application finale, les technologies de base et les technologies clés des droits de propriété intellectuelle indépendants ont permis de réaliser un certain nombre d'innovations scientifiques et technologiques.
French 
English 
Japanese 
German 
Korean 
Arabic 
Portuguese 
Danish 
Spanish 
Finnish 
Indonesian 
Italian 
Russian 
Persian 