Pureza <5ppm
‣ Boa uniformidade de doping
‣ Alta densidade e adesão
‣ Boa resistência anticorrosiva e ao carbono
‣ Personalização profissional
‣ Prazo de entrega curto
‣ Fornecimento estável
‣ Controle de qualidade e melhoria contínua
Epitaxia de GaN em Safira (RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxia de GaN em substrato de Si (UVC);
Epitaxia de GaN em Substrato de Si (Dispositivo Eletrônico);
Epitaxia de Si sobre Substrato de Si (Circuito Integrado);
Epitaxia de SiC em Substrato de SiC (Substrato);
Epitaxia do InP no InP
Susceptor MOCVD de alta qualidade Compre online na China
Um wafer precisa passar por diversas etapas antes de estar pronto para uso em dispositivos eletrônicos. Um processo importante é a epitaxia de silício, na qual os wafers são transportados em susceptores de grafite. As propriedades e a qualidade dos susceptores têm um efeito crucial na qualidade da camada epitaxial do wafer.
Para fases de deposição de filmes finos, como epitaxia ou MOCVD, a VET fornece equipamentos de grafite ultrapuros usados para suportar substratos ou “wafers”. No centro do processo, estes equipamentos, susceptores de epitaxia ou plataformas de satélite para o MOCVD, são primeiro submetidos ao ambiente de deposição:
Alta temperatura.
Alto vácuo.
Uso de precursores gasosos agressivos.
Contaminação zero, ausência de descamação.
Resistência a ácidos fortes durante operações de limpeza
A VET Energy é o verdadeiro fabricante de produtos customizados de grafite e carboneto de silício com revestimento para a indústria de semicondutores e fotovoltaica. Nossa equipe técnica vem das principais instituições de pesquisa nacionais e pode fornecer soluções de materiais mais profissionais para você.
Desenvolvemos continuamente processos avançados para fornecer materiais mais avançados e desenvolvemos uma tecnologia patenteada exclusiva, que pode tornar a ligação entre o revestimento e o substrato mais firme e menos propensa a descolamento.
Características dos nossos produtos:
1. Resistência à oxidação em altas temperaturas de até 1700 ℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durável
DCV Si C Propriedades físicas básicas de filmes Propriedades físicas básicas do CVD SiC revestimento | |
Natureza/Propriedade | Valor Típico/Valor Típico |
Estrutura Cristalina/Estrutura Cristalina | FCC fase β policristalina, orientação principalmente (111) |
Densidade/Densidade | 3,21g/cm³ |
Dureza/Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500g) |
Tamanho do grão/Tamanho do grão | 2~10μm |
Pureza/Pureza Química | 99.99995% |
Capacidade térmica/capacidade térmica | 640 J·kg -1 ·K -1 |
Temperatura de Sublimação/Temperatura de Sublimação | 2700℃ |
Resistência à Flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4 pontos, 1300℃ |
Condutividade Térmica/Condutividade Térmica | 300W·m -1 ·K -1 |
Coeficiente de Expansão Térmica/Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10 -6 K -1 |
Damos boas-vindas a você para visitar nossa fábrica, vamos discutir mais!
Com capacidades de P&D desde materiais-chave até produtos de aplicação final, as principais e principais tecnologias de direitos de propriedade intelectual independentes alcançaram uma série de inovações científicas e tecnológicas.
