O rápido crescimento de monocristais de SiC usando fontes a granel de CVD-SiC é um método amplamente adotado para a produção de materiais de SiC de alta qualidade. Esses cristais são adequados para diversas aplicações, incluindo eletrônica de alta potência, optoeletrônica, sensores e semicondutores.
A VET Energy usa carboneto de silício (SiC) de altíssima pureza formado por deposição química de vapor (CVD) como material de origem para o crescimento de cristais de SiC por transporte físico de vapor (PVT). No PVT, o material de origem é carregado em um cadinho e sublimado em um cristal semente.
Uma fonte de alta pureza é necessária para fabricar cristais de SiC de alta qualidade.
A VET Energy é especializada no fornecimento de SiC de partículas grandes para PVT. Oferece maior densidade em comparação com material de pequenas partículas formado pela combustão espontânea de gases contendo Si e C. Ao contrário da sinterização em fase sólida ou das reações Si-C, elimina a necessidade de um forno de sinterização ou de longas etapas de sinterização, garantindo uma taxa de evaporação consistente e melhor uniformidade de operação a operação.
Introdução:
1. Prepare a fonte do bloco CVD-SiC: Primeiro, você precisa preparar um Volume de SiC sólido CVD de alta pureza fonte, que geralmente é de alta pureza e alta densidade. Isto pode ser preparado pelo método de deposição química de vapor (CVD) sob condições de reação apropriadas.
2. Preparação do substrato: Selecione um substrato apropriado como substrato para o crescimento de cristal único de SiC. Os materiais de substrato comumente usados incluem carboneto de silício, nitreto de silício, etc., que combinam bem com o crescente cristal único de SiC.
3. Aquecimento e sublimação: Coloque a fonte e o substrato do bloco CVD-SiC em um forno de alta temperatura e forneça condições de sublimação apropriadas. Sublimação significa que em alta temperatura, a fonte do bloco muda diretamente do estado sólido para o estado de vapor e então se condensa novamente na superfície do substrato para formar um único cristal.
4. Controle de temperatura: Durante o processo de sublimação, o gradiente de temperatura e a distribuição de temperatura precisam ser controlados com precisão para promover a sublimação da fonte do bloco e o crescimento de cristais únicos. O controle apropriado da temperatura pode atingir a qualidade ideal do cristal e a taxa de crescimento.
5. Controle da atmosfera: Durante o processo de sublimação, a atmosfera de reação também precisa ser controlada. O gás inerte de alta pureza (como o argônio) é geralmente usado como gás de arraste para manter a pressão e a pureza adequadas e evitar a contaminação por impurezas.
6. Crescimento de cristal único: A fonte do bloco CVD-SiC sofre uma transição de fase de vapor durante o processo de sublimação e recondensa na superfície do substrato para formar uma estrutura de cristal único. O rápido crescimento de monocristais de SiC pode ser alcançado através de condições apropriadas de sublimação e controle de gradiente de temperatura.
Com capacidades de P&D desde materiais-chave até produtos de aplicação final, as principais e principais tecnologias de direitos de propriedade intelectual independentes alcançaram uma série de inovações científicas e tecnológicas.
