O rápido crescimento de monocristais de SiC usando fontes a granel de CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition - SiC) é um método comum para preparar materiais de monocristalino de SiC de alta qualidade. Esses monocristais podem ser usados em uma variedade de aplicações, incluindo dispositivos eletrônicos de alta potência, dispositivos optoeletrônicos, sensores e dispositivos semicondutores.
A VET Energy usa carboneto de silício (SiC) de altíssima pureza formado por deposição química de vapor (CVD) como material de origem para o crescimento de cristais de SiC por transporte físico de vapor (PVT). No PVT, o material de origem é carregado em um cadinho e sublimado em um cristal semente.
Uma fonte de alta pureza é necessária para fabricar cristais de SiC de alta qualidade.
A VET Energy é especializada no fornecimento de SiC de partículas grandes para PVT porque tem uma densidade mais alta do que o material de partículas pequenas formado pela combustão espontânea de gases contendo Si e C. Ao contrário da sinterização em fase sólida ou da reação de Si e C, não requer um forno de sinterização dedicado ou uma etapa de sinterização demorada em um forno de crescimento. Este material de partículas grandes tem uma taxa de evaporação quase constante, o que melhora a uniformidade entre corridas.
Introdução:
1. Prepare a fonte do bloco CVD-SiC: Primeiro, você precisa preparar uma fonte do bloco CVD-SiC de alta qualidade, que geralmente é de alta pureza e alta densidade. Isto pode ser preparado pelo método de deposição química de vapor (CVD) sob condições de reação apropriadas.
2. Preparação do substrato: Selecione um substrato apropriado como substrato para o crescimento de cristal único de SiC. Os materiais de substrato comumente usados incluem carboneto de silício, nitreto de silício, etc., que combinam bem com o crescente cristal único de SiC.
3. Aquecimento e sublimação: Coloque a fonte e o substrato do bloco CVD-SiC em um forno de alta temperatura e forneça condições de sublimação apropriadas. Sublimação significa que em alta temperatura, a fonte do bloco muda diretamente do estado sólido para o estado de vapor e então se condensa novamente na superfície do substrato para formar um único cristal.
4. Controle de temperatura: Durante o processo de sublimação, o gradiente de temperatura e a distribuição de temperatura precisam ser controlados com precisão para promover a sublimação da fonte do bloco e o crescimento de cristais únicos. O controle apropriado da temperatura pode atingir a qualidade ideal do cristal e a taxa de crescimento.
5. Controle da atmosfera: Durante o processo de sublimação, a atmosfera de reação também precisa ser controlada. O gás inerte de alta pureza (como o argônio) é geralmente usado como gás de arraste para manter a pressão e a pureza adequadas e evitar a contaminação por impurezas.
6. Crescimento de cristal único: A fonte do bloco CVD-SiC sofre uma transição de fase de vapor durante o processo de sublimação e recondensa na superfície do substrato para formar uma estrutura de cristal único. O rápido crescimento de monocristais de SiC pode ser alcançado através de condições apropriadas de sublimação e controle de gradiente de temperatura.
Com capacidades de P&D desde materiais-chave até produtos de aplicação final, as principais e principais tecnologias de direitos de propriedade intelectual independentes alcançaram uma série de inovações científicas e tecnológicas.
